FET(Field Effect Transistor)结构
场效应晶体管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，区别于双极型晶体管（如三极管）。它属于电压控制型半导体器件，与双极型晶体管和功率晶体管是同一阶层的王者。按照一般分类标准有，结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）两种结构的场效应晶体管。
MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor FET)
MODFET(Modulation-DopedFET)调制掺杂场效应管，也称HEMT(Electron-Mobility Transistor)高电子迁移率晶体管，也称TEGFET(two-dimensional electron-gas FET)二维电子气场效应晶体管，也称SDHT(Selectively Dopd Heterojuntion transistor)选择掺杂异质结晶体管
它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供沟道，而不像金属氧化物半导体场效应管那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道，即它与MOSFET的结构不同在于导电沟道材料不同。
由上可知：MOSFET是MOS金属-氧化物-半导体（电容）做栅极；MODFET/MESFET是用金属-半导体接触（肖特基二极管），用二极管做栅极。速度比MOS要快，可以用在高速电路上。